面板驅(qū)動(dòng)IC之封裝型態(tài)可區(qū)分為TCP(Tape Carrier Package)、COF(Chip on Film)及COG(Chip on Glass)等三類,過去主流封裝技術(shù)為TCP,不過,隨著面板朝高畫質(zhì)及高解析度發(fā)展,及晶片輕薄短小化之需求,驅(qū)動(dòng)IC線路中心到中心距(pitch)、間距(spacing)等越來越微細(xì)化,封裝基板設(shè)計(jì)亦必須配合晶片電路間距微細(xì)化提供對(duì)應(yīng)的封裝基板,導(dǎo)引封裝基板朝向高密度的構(gòu)裝技術(shù)發(fā)展。于是COF以覆晶接合方式取代TCP的TAB(Tape Automated Bonding),使得晶片與軟性基板可以極高密度相接合,由于封測技術(shù)朝晶圓顆粒持續(xù)微縮與細(xì)間距(Fine Pitch)製程趨勢發(fā)展,TCP內(nèi)引腳間距的極限為40μm,COF已量產(chǎn)的最小間距為25μm,因此COF封裝取代了TCP封裝。
目前全球主要COF廠為韓國 LG Innotek(LGIT)與 Stemco、日商 Flexceed,以及國內(nèi)的頎邦與易華電等五家。至于COF製程技術(shù)主要分為蝕刻法(又稱減成法)(Subtractive) 及半加成法(Semi-additive)。由于蝕刻法採用化學(xué)原理,控制上相對(duì)不穩(wěn)定,容易造成水平面布線同時(shí)被溶解掉。半加成法則是透過銅箔壓合后,進(jìn)行導(dǎo)通孔鑽洞,在特定范圍添加抗腐蝕劑以便曝光所需布線,寬度不僅較符合設(shè)計(jì)需求,加上線路可高密度重複布線,良率相對(duì)較高。